基本信息:
- 专利标题： Semiconductor device and manufacturing method thereof
- 专利标题（中）：半导体装置及其制造方法
- 申请号：US10931119 申请日：2004-09-01
- 公开(公告)号：US20050098813A1 公开(公告)日：2005-05-12
- 发明人： Tomoko Sekiguchi , Shinichiro Kimura , Renichi Yamada , Kikuo Watanabe , Hiroshi Miki , Kenichi Takeda
- 申请人： Tomoko Sekiguchi , Shinichiro Kimura , Renichi Yamada , Kikuo Watanabe , Hiroshi Miki , Kenichi Takeda
- 优先权： JP2003-379851 20031110
- 主分类号： H01L27/092
- IPC分类号： H01L27/092 ; H01L21/336 ; H01L21/8238 ; H01L21/8242 ; H01L27/108 ; H01L29/10 ; H01L29/78
摘要：
Disclosed is herein a semiconductor device having a DRAM with less scattering of threshold voltage of MISFET in a memory cell and having good charge retainability of a capacitor, and a manufacturing method of the semiconductor device. An anti-oxidation film is formed to the side wall of a gate electrode before light oxidation thereby suppressing the oxidation of the side wall for the gate electrode and decreasing scattering of the thickness of the film formed to the sidewall in an asymmetric diffusion region structure in which the impurity concentration of an n-type semiconductor region and a p-type semiconductor region on the side of the data line is made relatively higher than the impurity concentration in the n-type semiconductor region and p-type semiconductor region on the side of the capacitor, respectively.
摘要（中）：
这里公开了具有在存储单元中具有MISFET阈值电压的较小散射并具有良好的电容保持性的DRAM的半导体器件，以及半导体器件的制造方法。 在光氧化之前，在栅电极的侧壁上形成抗氧化膜，从而抑制栅电极的侧壁的氧化，并且在不对称扩散区域结构中减少形成在侧壁上的膜的厚度的散射 使数据线一侧的n型半导体区域和p型半导体区域的杂质浓度比n型半导体区域和p型半导体区域的杂质浓度相对高于 电容器。
公开/授权文献:
- US07247890B2 Semiconductor device and manufacturing method thereof 公开/授权日：2007-07-24
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |
| --------------H01L27/085 | ....只包含场效应的组件 |
| ----------------H01L27/088 | .....有绝缘栅场效应晶体管的组件 |
| ------------------H01L27/092 | ......互补MIS场效应晶体管 |