基本信息:
- 专利标题： 半導體元件及其形成方法
- 专利标题（英）：SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME
- 专利标题（中）：半导体组件及其形成方法
- 申请号：TW107125093 申请日：2018-07-20
- 公开(公告)号：TWI697085B 公开(公告)日：2020-06-21
- 发明人： 曾士豪 , TSENG, SHIH-HAO , 郭宏瑞 , KUO, HUNG-JUI , 何明哲 , HO, MING-CHE
- 申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 申请人地址： 新竹市
- 专利权人： 台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 当前专利权人： 台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 当前专利权人地址： 新竹市
- 代理人： 卓俊傑
- 优先权： 62/586,314 20171115;15/925,174 20180319
- 主分类号： H01L23/485
- IPC分类号： H01L23/485 ; H01L23/31
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/34 | .冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置 |
| ----------H01L23/482 | ..由不可拆卸地施加到半导体本体上的内引线组成的 |
| ------------H01L23/485 | ...包括导电层和绝缘层组成的层状结构，例如平面型触头 |