专利号TW107109797 | 半導體元件、互補型半導體裝置、半導體元件的製造方法、無線通信裝置及商品標籤

专利标题：半導體元件、互補型半導體裝置、半導體元件的製造方法、無線通信裝置及商品標籤
专利标题（中）：半导体组件、互补型半导体设备、半导体组件的制造方法、无线通信设备及商品标签
申请号：TW107109797 申请日：2018-03-22
公开(公告)号：TWI690982B 公开(公告)日：2020-04-11
发明人：磯貝和生 , ISOGAI, KAZUKI , 村瀬清一郎 , MURASE, SEIICHIRO , 崎井大輔 , SAKII, DAISUKE
申请人：日商東麗股份有限公司 , TORAY INDUSTRIES, INC.
专利权人：日商東麗股份有限公司,TORAY INDUSTRIES, INC.
当前专利权人：日商東麗股份有限公司,TORAY INDUSTRIES, INC.
代理人：葉璟宗; 鄭婷文; 詹富閔
优先权： 2017-060426 20170327
主分类号： H01L21/208
IPC分类号： H01L21/208 ; H01L21/312 ; H01L21/336 ; H01L29/786 ; H01L51/05 ; H01L51/30 ; C01B32/158

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H	电学
--H01	基本电气元件
----H01L	半导体器件；其他类目未包含的电固体器件
------H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
--------H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
----------H01L21/027	..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
------------H01L21/18	...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
--------------H01L21/20	....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
----------------H01L21/208	.....应用液体沉积的

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