专利号TW105108515 | 用於經由原子層沉積循環之蝕刻的方法

专利标题：用於經由原子層沉積循環之蝕刻的方法
专利标题（英）：Methods for etching via atomic layer deposition (ald) cycles
专利标题（中）：用于经由原子层沉积循环之蚀刻的方法
申请号：TW105108515 申请日：2016-03-18
公开(公告)号：TWI687994B 公开(公告)日：2020-03-11
发明人：傅新宇 , FU, XINYU , 干德可塔史林尼維斯 , GANDIKOTA, SRINIVAS , 張鎂 , CHANG, MEI , 甘古利沙謝德利 , GANGULI, SESHADRI , 蹇國強 , JIAN, GUOQIANG , 楊逸雄 , YANG, YIXIONG , 班西亞維卡許 , BANTHIA, VIKASH , 貝克喬安娜 , BAKKE, JONATHAN
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
专利权人：美商應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
当前专利权人：美商應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
代理人：李世章; 彭國洋
优先权： 62/136,018 20150320;14/717,740 20150520
主分类号： H01L21/3065
IPC分类号： H01L21/3065

Espacenet

H	电学
--H01	基本电气元件
----H01L	半导体器件；其他类目未包含的电固体器件
------H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
--------H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
----------H01L21/027	..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
------------H01L21/18	...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
--------------H01L21/26	....用波或粒子辐射轰击的
----------------H01L21/302	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
------------------H01L21/306	......化学或电处理，例如电解腐蚀
--------------------H01L21/3065	.......等离子腐蚀；活性离子腐蚀

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