专利号TW108106707 | 用於減小立體記憶體件中的應力的結構和方法

专利标题：用於減小立體記憶體件中的應力的結構和方法
专利标题（英）：STRUCTURE AND METHOD FOR REDUCING STRESS IN A THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE
专利标题（中）：用于减小三維内存件中的应力的结构和方法
申请号：TW108106707 申请日：2019-02-27
公开(公告)号：TWI674666B 公开(公告)日：2019-10-11
发明人：孫堅華 , SUN, JIAN HUA , 李思晢 , LI, SIZHE , 夏季 , XIA, JI , 魏勤香 , WEI, QINXIANG
申请人：大陸商長江存儲科技有限責任公司 , YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
专利权人：大陸商長江存儲科技有限責任公司,YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
当前专利权人：大陸商長江存儲科技有限責任公司,YANGTZE MEMORY TECHNOLOGIES CO., LTD.
代理人：吳豐任; 戴俊彥
优先权： PCT/CN2019/071190 20190110
主分类号： H01L27/11551
IPC分类号： H01L27/11551 ; H01L27/11548

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H	电学
--H01	基本电气元件
----H01L	半导体器件；其他类目未包含的电固体器件
------H01L27/00	由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
--------H01L27/02	.包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
----------H01L27/04	..其衬底为半导体的
------------H01L27/06	...在非重复结构中包括有多个单个组件的
--------------H01L27/105	....包含场效应组件的
----------------H01L27/112	.....只读存储器结构的
------------------H01L27/115	......电动编程只读存储器
--------------------H01L27/11502	.......具有铁电体存储器电容器的
----------------------H01L27/11551	........以三维布置为特征的，例如，单元胞在不同的高度层

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