基本信息:
- 专利标题： 基板處理方法
- 专利标题（中）：基板处理方法
- 申请号：TW106131778 申请日：2017-09-15
- 公开(公告)号：TWI666694B 公开(公告)日：2019-07-21
- 发明人： 樋口鮎美 , HIGUCHI, AYUMI , 岩崎晃久 , IWASAKI, AKIHISA
- 申请人： 日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
- 专利权人： 日商斯庫林集團股份有限公司,SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
- 当前专利权人： 日商斯庫林集團股份有限公司,SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
- 代理人： 陳家輝
- 优先权： 2016-187250 20160926
- 主分类号： H01L21/302
- IPC分类号： H01L21/302 ; H01L21/3105
公开/授权文献:
- TW201824378A 基板處理方法 公开/授权日：2018-07-01
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |