基本信息:
- 专利标题: 半導體裝置及其製造方法
- 专利标题(中):半导体设备及其制造方法
- 申请号:TW106106487 申请日:2017-02-24
- 公开(公告)号:TWI646656B 公开(公告)日:2019-01-01
- 发明人: 八甫谷明彥 , HAPPOYA, AKIHIKO
- 申请人: 日商東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
- 专利权人: 日商東芝股份有限公司,KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
- 当前专利权人: 日商東芝股份有限公司,KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
- 代理人: 林志剛
- 优先权: 62/319,450 20160407;62/324,686 20160419;62/382,048 20160831
- 主分类号: H01L25/00
- IPC分类号: H01L25/00 ; H01L21/02 ; H01L23/48 ; H01L23/52
公开/授权文献:
- TW201737463A 半導體裝置及其製造方法 公开/授权日:2017-10-16
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01L | 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 |
------H01L25/00 | 由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件 |