专利号TW104100137 | 使用互補式金氧半導體製造流程以製造電荷捕獲閘極堆疊的方法

专利标题：使用互補式金氧半導體製造流程以製造電荷捕獲閘極堆疊的方法
专利标题（英）：METHOD OF FABRICATING A CHARGE-TRAPPING GATE STACK USING A CMOS PROCESS FLOW
专利标题（中）：使用互补式金属氧化物半导体制造流程以制造电荷捕获闸极堆栈的方法
申请号：TW104100137 申请日：2015-01-06
公开(公告)号：TWI640082B 公开(公告)日：2018-11-01
发明人：庫馬爾克里希納斯瓦米 , RAMKUMAR, KRISHNASWAMY , 謝慧美 , SHIH, HUI MEI
申请人：美商賽普拉斯半導體公司 , CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION
专利权人：美商賽普拉斯半導體公司,CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION
当前专利权人：美商賽普拉斯半導體公司,CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION
代理人：閻啟泰; 林景郁
优先权： 61/936,549 20140206;14/490,514 20140918
主分类号： H01L27/115
IPC分类号： H01L27/115 ; H01L29/51 ; H01L29/792

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H	电学
--H01	基本电气元件
----H01L	半导体器件；其他类目未包含的电固体器件
------H01L27/00	由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
--------H01L27/02	.包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
----------H01L27/04	..其衬底为半导体的
------------H01L27/06	...在非重复结构中包括有多个单个组件的
--------------H01L27/105	....包含场效应组件的
----------------H01L27/112	.....只读存储器结构的
------------------H01L27/115	......电动编程只读存储器

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