专利号TW103131188 | 實現無縫鈷間隙塡充之方法

专利标题：實現無縫鈷間隙塡充之方法
专利标题（英）：METHOD OF ENABLING SEAMLESS COBALT GAP-FILL
专利标题（中）：实现无缝钴间隙填充之方法
申请号：TW103131188 申请日：2014-09-10
公开(公告)号：TWI633604B 公开(公告)日：2018-08-21
发明人：羅佩布山N , ZOPE, BHUSHAN N. , 傑拉多斯艾夫傑尼諾斯V , GELATOS, AVGERINOS V. , 鄭波 , ZHENG, BO , 雷雨 , LEI, YU , 傅新宇 , FU, XINYU , 干德可塔史林尼維斯 , GANDIKOTA, SRINIVAS , 柳尙澔 , YU, SANG HO , 亞伯拉罕馬修 , ABRAHAM, MATHEW
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
专利权人：美商應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
当前专利权人：美商應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
代理人：蔡坤財; 李世章
优先权： 61/883,480 20130927
主分类号： H01L21/3205
IPC分类号： H01L21/3205 ; H01L21/768

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H	电学
--H01	基本电气元件
----H01L	半导体器件；其他类目未包含的电固体器件
------H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
--------H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
----------H01L21/027	..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
------------H01L21/18	...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
--------------H01L21/26	....用波或粒子辐射轰击的
----------------H01L21/302	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
------------------H01L21/3205	......非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层、电阻层（器件内部的通电装置入H01L23/52）；这些层的后处理

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