专利号TW104135804 | 在低溫下生長薄磊晶膜的方法

专利标题：在低溫下生長薄磊晶膜的方法
专利标题（英）：Method to grow thin epitaxial films at low temperature
专利标题（中）：在低温下生长薄磊晶膜的方法
申请号：TW104135804 申请日：2015-10-30
公开(公告)号：TWI613705B 公开(公告)日：2018-02-01
发明人：督比阿布希雪克 , DUBE, ABHISHEK , 仲華 , CHUNG, HUA , 王振宇 , WANG, JENN-YUE , 李學斌 , LI, XUEBIN , 黃奕樵 , HUANG, YI CHIAU , 諸紹芳 , CHU, SCHUBERT S.
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
专利权人：應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
当前专利权人：應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
代理人：李世章; 彭國洋
优先权： 62/072,937 20141030
主分类号： H01L21/20
IPC分类号： H01L21/20 ; H01L21/336 ; H01L29/78

Espacenet

H	电学
--H01	基本电气元件
----H01L	半导体器件；其他类目未包含的电固体器件
------H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
--------H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
----------H01L21/027	..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
------------H01L21/18	...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
--------------H01L21/20	....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长

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