基本信息:
- 专利标题： 半導體裝置及半導體裝置之製造方法
- 专利标题（英）：Semiconductor device and method of manufacturing the same
- 专利标题（中）：半导体设备及半导体设备之制造方法
- 申请号：TW102109106 申请日：2013-03-14
- 公开(公告)号：TWI612665B 公开(公告)日：2018-01-21
- 发明人： 井口總一郎 , IGUCHI, SOUICHIROU
- 申请人： 瑞薩電子股份有限公司 , RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
- 专利权人： 瑞薩電子股份有限公司,RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
- 当前专利权人： 瑞薩電子股份有限公司,RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
- 代理人： 陳長文
- 优先权： 2012-071527 20120327
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L21/28
公开/授权文献:
- TW201347191A 半導體裝置及半導體裝置之製造方法 公开/授权日：2013-11-16
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |