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专利标题：
半導體元件結構及形成方法
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- 专利标题（英）：Semiconductor device structure and manufacturing method
- 专利标题（中）：半导体组件结构及形成方法
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申请号：TW103145409
申请日：2014-12-25
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公开(公告)号：TWI612634B
公开(公告)日：2018-01-21
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发明人：
李立國
, LEE, LI GUO
, 劉宜臻
, LIU, YI CHEN
, 劉永盛
, LIU, YUNG SHENG
, 賴怡仁
, LAI, YI JEN
, 陳俊仁
, CHEN, CHUN JEN
, 鄭錫圭
, CHENG, HSI KUEI
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申请人：
台灣積體電路製造股份有限公司
,
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
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申请人地址：
新竹市
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专利权人：
台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
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当前专利权人：
台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
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当前专利权人地址：
新竹市
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代理人：
洪澄文; 顏錦順
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优先权：
14/209,118 20140313
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主分类号：
H01L23/488
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IPC分类号：
H01L23/488
