基本信息:
- 专利标题： 半導體裝置及其製造方法
- 专利标题（英）：Semiconductor device and method of manufacturing same
- 专利标题（中）：半导体设备及其制造方法
- 申请号：TW103112076 申请日：2014-04-01
- 公开(公告)号：TWI600123B 公开(公告)日：2017-09-21
- 发明人： 杉山道昭 , SUGIYAMA, MICHIAKI , 紺野順平 , KONNO, JUMPEI
- 申请人： 瑞薩電子股份有限公司 , RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
- 专利权人： 瑞薩電子股份有限公司,RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
- 当前专利权人： 瑞薩電子股份有限公司,RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
- 代理人： 林志剛
- 优先权： 2013-086899 20130417
- 主分类号： H01L23/12
- IPC分类号： H01L23/12 ; H01L21/58
公开/授权文献:
- TW201507073A 半導體裝置及其製造方法 公开/授权日：2015-02-16
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/12 | .安装架，例如不可拆卸的绝缘衬底 |