基本信息:
- 专利标题： 非微影圖案化導引自我組合校準促進層
- 专利标题（英）：Non-lithographically patterned directed self assembly alignment promotion layers
- 专利标题（中）：非微影图案化导引自我组合校准促进层
- 申请号：TW103121022 申请日：2014-06-18
- 公开(公告)号：TWI592990B 公开(公告)日：2017-07-21
- 发明人： 布里斯托 羅伯特 , BRISTOL, ROBERT , 胡拉尼 拉米 , HOURANI, RAMI , 韓應諾 , HAN, EUNGNAK , 布雷克威爾 詹姆士 , BLACKWELL, JAMES M.
- 申请人： 英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
- 专利权人： 英特爾股份有限公司,INTEL CORPORATION
- 当前专利权人： 英特爾股份有限公司,INTEL CORPORATION
- 代理人： 林志剛
- 优先权： PCT/US13/48307 20130627
- 主分类号： H01L21/027
- IPC分类号： H01L21/027 ; H01L21/28 ; H01L23/52
公开/授权文献:
- TW201515063A 非微影圖案化導引自我組合校準促進層 公开/授权日：2015-04-16
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |