专利号TW102133545 | 使用低溫蝕刻劑沉積與電漿後處理的方向性二氧化矽蝕刻

专利标题：使用低溫蝕刻劑沉積與電漿後處理的方向性二氧化矽蝕刻
专利标题（英）：Directional sio2 etch using low-temperature etchant deposition and plasma post-treatment
专利标题（中）：使用低温蚀刻剂沉积与等离子后处理的方向性二氧化硅蚀刻
申请号：TW102133545 申请日：2013-09-16
公开(公告)号：TWI591712B 公开(公告)日：2017-07-11
发明人：柯傳偉 , OR, DAVID T. , 克林喬許華 , COLLINS, JOSHUA , 張鎂 , CHANG, MEI
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
专利权人：應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
当前专利权人：應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
代理人：蔡坤財; 李世章
优先权： 61/744,909 20121003;61/874,807 20130906
主分类号： H01L21/306
IPC分类号： H01L21/306

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H	电学
--H01	基本电气元件
----H01L	半导体器件；其他类目未包含的电固体器件
------H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
--------H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
----------H01L21/027	..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
------------H01L21/18	...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
--------------H01L21/26	....用波或粒子辐射轰击的
----------------H01L21/302	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
------------------H01L21/306	......化学或电处理，例如电解腐蚀

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