-
专利标题：
記憶體元件以及用於記憶體元件之感測及閂鎖電路
-
- 专利标题（英）：Memory device, and sensing and latching circuit of memory device
- 专利标题（中）：内存组件以及用于内存组件之传感及闩锁电路
-
申请号：TW101146785
申请日：2012-12-12
-
公开(公告)号：TWI585774B
公开(公告)日：2017-06-01
-
发明人：
金燦景
, KIM, CHAN-KYUNG
, 李潤相
, LEE, YUN-SANG
, 朴哲佑
, PARK, CHUL-WOO
, 黃泓善
, HWANG, HONG-SUN
-
申请人：
三星電子股份有限公司
,
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
-
专利权人：
三星電子股份有限公司,SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
-
当前专利权人：
三星電子股份有限公司,SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
-
代理人：
詹銘文
-
优先权：
61/569,320 20111212;10-2012-0118306 20121024;13/705,143 20121204
-
主分类号：
G11C7/06
-
IPC分类号：
G11C7/06
; G11C7/08
