专利号TW102110015 | 用於整合非揮發性電荷捕獲記憶體元件和邏輯ＣＭＯＳ元件的方法

专利标题：用於整合非揮發性電荷捕獲記憶體元件和邏輯ＣＭＯＳ元件的方法
专利标题（英）：Method for integration of non-volatile charge trap memory devices and logic cmos devices
专利标题（中）：用于集成非挥发性电荷捕获内存组件和逻辑ＣＭＯＳ组件的方法
申请号：TW102110015 申请日：2013-03-21
公开(公告)号：TWI582854B 公开(公告)日：2017-05-11
发明人：庫馬爾克里希納斯瓦米 , RAMKUMAR, KRISHNASWAMY , 珍佛瑞德 , JENNE, FRED , 利維賽格 , LEVY, SAGY
申请人：賽普拉斯半導體公司 , CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION
专利权人：賽普拉斯半導體公司,CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION
当前专利权人：賽普拉斯半導體公司,CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION
代理人：閻啟泰; 林景郁
优先权： 13/436,878 20120331
主分类号： H01L21/336
IPC分类号： H01L21/336 ; H01L21/28

Espacenet

H	电学
--H01	基本电气元件
----H01L	半导体器件；其他类目未包含的电固体器件
------H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
--------H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
----------H01L21/027	..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
------------H01L21/18	...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
--------------H01L21/26	....用波或粒子辐射轰击的
----------------H01L21/335	.....场效应晶体管
------------------H01L21/336	......带有绝缘栅的

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