基本信息:
- 专利标题： 半導體裝置以及形成引線上接合互連用於鑲嵌半導體晶粒在扇出晶圓級晶片規模封裝中之方法
- 专利标题（英）：Semiconductor device and method of forming bond-on-lead interconnection for mounting semiconductor die in fo-wlcsp
- 专利标题（中）：半导体设备以及形成引在线接合互连用于镶嵌半导体晶粒在扇出晶圆级芯片规模封装中之方法
- 申请号：TW100130052 申请日：2011-08-23
- 公开(公告)号：TWI581345B 公开(公告)日：2017-05-01
- 发明人： 派蓋菈 瑞莎A , PAGAILA, REZA A. , 潘斯 拉簡德拉 , PENDSE, RAJENDRA , 具俊謨 , KOO, JUN MO
- 申请人： 史達晶片有限公司 , STATS CHIPPAC, LTD.
- 专利权人： 史達晶片有限公司,STATS CHIPPAC, LTD.
- 当前专利权人： 史達晶片有限公司,STATS CHIPPAC, LTD.
- 代理人： 閻啟泰; 林景郁
- 优先权： 12/880,255 20100913
- 主分类号： H01L21/60
- IPC分类号： H01L21/60 ; H01L23/488
公开/授权文献:
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/50 | ...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的 |
| --------------H01L21/60 | ....引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流 |