基本信息:
- 专利标题： 用以於基材上形成層之方法
- 专利标题（英）：Methods for forming layers on a substrate
- 专利标题（中）：用以于基材上形成层之方法
- 申请号：TW100133991 申请日：2011-09-21
- 公开(公告)号：TWI569310B 公开(公告)日：2017-02-01
- 发明人： 悠傑克M , YU, JICK M. , 陶龍 , TAO, RONG , 傅新宇 , FU, XINYU
- 申请人： 應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
- 专利权人： 應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
- 当前专利权人： 應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
- 代理人： 蔡坤財; 李世章
- 优先权： 61/384,938 20100921;13/226,612 20110907
- 主分类号： H01L21/20
- IPC分类号： H01L21/20 ; H01L21/3065
公开/授权文献:
- TW201220363A 用以於基材上形成層之方法 METHODS FOR FORMING LAYERS ON A SUBSTRATE 公开/授权日：2012-05-16
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/20 | ....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长 |