基本信息:
- 专利标题： 具有基於混合幾何的主動區的非平面半導體裝置
- 专利标题（英）：Non-planar semiconductor device having hybrid geometry-based active region
- 专利标题（中）：具有基于混合几何的主动区的非平面半导体设备
- 申请号：TW103139909 申请日：2014-11-18
- 公开(公告)号：TWI565058B 公开(公告)日：2017-01-01
- 发明人： 金世淵 , KIM, SEIYON , 羅伊斯 瑞菲爾 , RIOS, RAFAEL , 費多西 法米達 , FERDOUSI, FAHMIDA , 坎恩 克萊恩 , KUHN, KELIN J.
- 申请人： 英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
- 专利权人： 英特爾股份有限公司,INTEL CORPORATION
- 当前专利权人： 英特爾股份有限公司,INTEL CORPORATION
- 代理人： 林志剛
- 优先权： PCT/US13/76651 20131219
- 主分类号： H01L29/772
- IPC分类号： H01L29/772 ; H01L21/316
公开/授权文献:
- TW201535727A 具有基於混合幾何的主動區的非平面半導體裝置 公开/授权日：2015-09-16
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/772 | ....场效应晶体管 |