基本信息:

• 专利标题： 形成磁通道接面裝置之方法
• 专利标题（英）：Method of forming a magnetic tunnel junction device
• 专利标题（中）：形成磁信道接面设备之方法
• 申请号：TW102111606 申请日：2009-03-05
• 公开(公告)号：TWI563700B 公开(公告)日：2016-12-21
• 发明人： 李霞 , LI, XIA
• 申请人： 高通公司 ,  QUALCOMM INCORPORATED
• 专利权人： 高通公司,QUALCOMM INCORPORATED
• 当前专利权人： 高通公司,QUALCOMM INCORPORATED
• 代理人： 陳長文
• 优先权： 12/044,596 20080307
• 主分类号： H01L43/12
• IPC分类号： H01L43/12 ; H01L43/02

公开/授权文献:

• TW201330340A  形成磁通道接面裝置之方法 公开/授权日：2013-07-16

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