基本信息:
- 专利标题： 半導體裝置及半導體裝置的驅動方法
- 专利标题（英）：Semiconductor device and driving method thereof
- 专利标题（中）：半导体设备及半导体设备的驱动方法
- 申请号：TW100127219 申请日：2011-08-01
- 公开(公告)号：TWI555128B 公开(公告)日：2016-10-21
- 发明人： 長塚修平 , NAGATSUKA, SHUHEI , 松崎隆德 , MATSUZAKI, TAKANORI
- 申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 专利权人： 半導體能源研究所股份有限公司,SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 当前专利权人： 半導體能源研究所股份有限公司,SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 代理人： 林志剛
- 优先权： 2010-178169 20100806;2011-107864 20110513
- 主分类号： H01L21/8239
- IPC分类号： H01L21/8239 ; H01L27/115 ; H01L21/28
公开/授权文献:
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/78 | ...把衬底连续地分成多个独立的器件 |
| --------------H01L21/782 | ....制造多个器件，每一个由单个电路元件组成 |
| ----------------H01L21/822 | .....衬底是采用硅工艺的半导体的 |
| ------------------H01L21/8222 | ......双极工艺 |
| --------------------H01L21/8234 | .......MIS工艺 |
| ----------------------H01L21/8239 | ........存储器结构 |