基本信息:

• 专利标题： 在具有埋入晶粒之無凸塊式增層基板上使用貫矽導孔的晶粒堆疊及其形成方法
• 专利标题（英）：DIE-STACKING USING THROUGH-SILICON VIAS ON BUMPLESS BUILD-UP LAYER SUBSTRATES INCLUDING EMBEDDED-DICE, AND PROCESSES OF FORMING SAME
• 专利标题（中）：在具有埋入晶粒之无凸块式增层基板上使用贯硅导孔的晶粒堆栈及其形成方法
• 申请号：TW104123086 申请日：2011-09-23
• 公开(公告)号：TWI544601B 公开(公告)日：2016-08-01
• 发明人： 格柴克 約翰 , GUZEK, JOHN S. , 納拉 瑞維 , NALLA, RAVI K. , 索多岡薩烈茲 杰維爾 , SOTO GONZALEZ, JAVIER , 迪藍倪 德魯 , DELANEY, DREW W. , 波魯庫奇 蘇瑞 , POTHUKUCHI, SURESH , 麻莫帝亞 莫西 , MAMODIA, MOHIT , 薩巴克 愛德華 , ZARBOCK, EDWARD , 史旺 喬漢娜 , SWAN, JOHANNA M.
• 申请人： 英特爾股份有限公司 ,  INTEL CORPORATION
• 专利权人： 英特爾股份有限公司,INTEL CORPORATION
• 当前专利权人： 英特爾股份有限公司,INTEL CORPORATION
• 代理人： 林志剛
• 优先权： 12/890,082 20100924
• 主分类号： H01L23/538
• IPC分类号： H01L23/538 ; H01L21/50

公开/授权文献:

• TW201539701A  在具有埋入晶粒之無凸塊式增層基板上使用貫矽導孔的晶粒堆疊及其形成方法 公开/授权日：2015-10-16

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