基本信息:
- 专利标题： 形成全包覆互連線的方法
- 专利标题（英）：Methods of forming fully clad interconnects
- 专利标题（中）：形成全包覆互连接的方法
- 申请号：TW103132991 申请日：2014-09-24
- 公开(公告)号：TWI544576B 公开(公告)日：2016-08-01
- 发明人： 錢霍克 曼尼許 , CHANDHOK, MANISH , 柳惠宰 , YOO, HUI JAE , 傑西 克里斯多夫 , JEZEWSKI, CHRISTOPHER J. , 契必安 拉馬南 , CHEBIAM, RAMANAN V. , 卡佛 柯林 , CARVER, COLIN T.
- 申请人： 英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
- 专利权人： 英特爾股份有限公司,INTEL CORPORATION
- 当前专利权人： 英特爾股份有限公司,INTEL CORPORATION
- 代理人： 林志剛
- 优先权： 14/039,893 20130927
- 主分类号： H01L21/768
- IPC分类号： H01L21/768 ; H01L23/52
公开/授权文献:
- TW201535593A 具有全包覆線的互連線 公开/授权日：2015-09-16
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/768 | ...利用互连在器件中的分离元件间传输电流 |