基本信息:
- 专利标题： 溝槽金屬氧化物半導體場效電晶體元件及其製造方法
- 专利标题（中）：沟槽金属氧化物半导体场效应管组件及其制造方法
- 申请号：TW103113218 申请日：2014-04-10
- 公开(公告)号：TWI541905B 公开(公告)日：2016-07-11
- 发明人： 童亮
- 申请人： 矽力杰半導體技術(杭州)有限公司 , SILERGY SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY (HANGZHOU) LTD.
- 专利权人： 矽力杰半導體技術(杭州)有限公司,SILERGY SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY (HANGZHOU) LTD.
- 当前专利权人： 矽力杰半導體技術(杭州)有限公司,SILERGY SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY (HANGZHOU) LTD.
- 代理人： 林志剛
- 优先权： 201310378544.7 20130827
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336 ; H01L29/78
公开/授权文献:
- TW201511137A 溝槽金屬氧化物半導體場效電晶體元件及其製造方法 公开/授权日：2015-03-16
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/335 | .....场效应晶体管 |
| ------------------H01L21/336 | ......带有绝缘栅的 |