基本信息:
- 专利标题： 加熱裝置、塗佈裝置及加熱方法
- 专利标题（英）：Heating apparatus, coating apparatus and heating method
- 专利标题（中）：加热设备、涂布设备及加热方法
- 申请号：TW101119543 申请日：2012-05-31
- 公开(公告)号：TWI539525B 公开(公告)日：2016-06-21
- 发明人： 宮本英典 , MIYAMOTO, HIDENORI , 佐保田勉 , SAHODA, TSUTOMU
- 申请人： 東京應化工業股份有限公司 , TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
- 专利权人： 東京應化工業股份有限公司,TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
- 当前专利权人： 東京應化工業股份有限公司,TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
- 代理人： 林志剛
- 优先权： 61/492,627 20110602
- 主分类号： H01L21/324
- IPC分类号： H01L21/324 ; H01L31/024
公开/授权文献:
- TW201320190A 加熱裝置、塗佈裝置及加熱方法 公开/授权日：2013-05-16
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/324 | .....用于改善半导体材料性能的热处理，例如退火、烧结 |