专利号TW098109255 | 基材蝕刻系統與製程之方法及設備

专利标题：基材蝕刻系統與製程之方法及設備
专利标题（英）：Method and apparatus of a substrate etching system and process
专利标题（中）：基材蚀刻系统与制程之方法及设备
申请号：TW098109255 申请日：2009-03-20
公开(公告)号：TWI538045B 公开(公告)日：2016-06-11
发明人：帕馬西沙瑪V , PAMARTHY, SHARMA V. , 法爾瓊C , FARR, JON C. , 瑟拉裘汀卡利德 , SIRAJUDDIN, KHALID , 古德愛爾羅伯 , GOLD, EZRA R. , 克魯斯詹姆士P , CRUSE, JAMES P. , 歐玆烏斯基史考特 , OLSZEWSKI, SCOTT , 那歌力羅伊C , NANGOY, ROY C. , 辛沙拉傑特 , SINGH, SARAVJEET , 布卻柏格道格拉斯二世A , BUCHBERGER, JR. DOUGLAS A. , 李傑瑞A , LEE, JARED A. , 張春雷 , ZHANG, CHUNLEI
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
专利权人：應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
当前专利权人：應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
代理人：蔡坤財; 李世章
优先权： 61/038,664 20080321;61/040,570 20080328;61/094,820 20080905
主分类号： H01L21/3065
IPC分类号： H01L21/3065 ; H01L21/67

Espacenet

H	电学
--H01	基本电气元件
----H01L	半导体器件；其他类目未包含的电固体器件
------H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
--------H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
----------H01L21/027	..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
------------H01L21/18	...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
--------------H01L21/26	....用波或粒子辐射轰击的
----------------H01L21/302	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
------------------H01L21/306	......化学或电处理，例如电解腐蚀
--------------------H01L21/3065	.......等离子腐蚀；活性离子腐蚀

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