基本信息:
- 专利标题： 形成鐵電記憶體單元之方法及相關之半導體裝置結構
- 专利标题（英）：Methods of forming a ferroelectric memory cell and related semiconductor devices structures
- 专利标题（中）：形成铁电内存单元之方法及相关之半导体设备结构
- 申请号：TW103131228 申请日：2014-09-10
- 公开(公告)号：TWI536625B 公开(公告)日：2016-06-01
- 发明人： 陶 謙 , TAO, QIAN , 洛克萊 馬修N , ROCKLEIN, MATTHEW N. , 曲克 貝絲R , COOK, BETH R. , 拉瑪斯瓦米 D V 尼爾摩 , RAMASWAMY, D. V. NIRMAL
- 申请人： 美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
- 专利权人： 美光科技公司,MICRON TECHNOLOGY, INC.
- 当前专利权人： 美光科技公司,MICRON TECHNOLOGY, INC.
- 代理人： 陳長文
- 优先权： 14/026,883 20130913
- 主分类号： H01L45/00
- IPC分类号： H01L45/00 ; H01L21/8247
公开/授权文献:
- TW201528570A 形成鐵電記憶體單元之方法及相關之半導體裝置結構 公开/授权日：2015-07-16