基本信息:
- 专利标题： 錫合金凸塊之製造方法
- 专利标题（中）：锡合金凸块之制造方法
- 申请号：TW101102246 申请日：2012-01-19
- 公开(公告)号：TWI536472B 公开(公告)日：2016-06-01
- 发明人： 八田健志 , HATTA, TAKESHI , 增田昭裕 , MASUDA, AKIHIRO
- 申请人： 三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
- 专利权人： 三菱綜合材料股份有限公司,MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
- 当前专利权人： 三菱綜合材料股份有限公司,MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
- 代理人： 林志剛
- 优先权： 2011-013661 20110126
- 主分类号： H01L21/60
- IPC分类号： H01L21/60 ; H05K3/34
公开/授权文献:
- TW201250883A 錫合金凸塊之製造方法 公开/授权日：2012-12-16
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/50 | ...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的 |
| --------------H01L21/60 | ....引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流 |