专利号TW103102476 | 半導體裝置的製造方法

专利标题：半導體裝置的製造方法
专利标题（英）：Method of manufacturing semiconductor device
专利标题（中）：半导体设备的制造方法
申请号：TW103102476 申请日：2014-01-23
公开(公告)号：TWI534910B 公开(公告)日：2016-05-21
发明人：水野祥司 , MIZUNO, SHOJI , 鈴木克己 , SUZUKI, KATSUMI , 青井佐智子 , AOI, SACHIKO , 渡辺行彦 , WATANABE, YUKIHIKO
申请人：電裝股份有限公司 , DENSO CORPORATION , 豐田自動車股份有限公司 , TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA
专利权人：電裝股份有限公司,DENSO CORPORATION,豐田自動車股份有限公司,TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA
当前专利权人：電裝股份有限公司,DENSO CORPORATION,豐田自動車股份有限公司,TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA
代理人：林志剛
优先权： 2013-011918 20130125
主分类号： H01L21/336
IPC分类号： H01L21/336 ; H01L21/28

Espacenet

H	电学
--H01	基本电气元件
----H01L	半导体器件；其他类目未包含的电固体器件
------H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
--------H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
----------H01L21/027	..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
------------H01L21/18	...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
--------------H01L21/26	....用波或粒子辐射轰击的
----------------H01L21/335	.....场效应晶体管
------------------H01L21/336	......带有绝缘栅的

IPRDB