基本信息:
- 专利标题： 半導體晶圓之載體接合及分離之製程
- 专利标题（英）：Carrier bonding and detaching processes for a semiconductor wafer
- 专利标题（中）：半导体晶圆之载体接合及分离之制程
- 申请号：TW101143360 申请日：2012-11-21
- 公开(公告)号：TWI521583B 公开(公告)日：2016-02-11
- 发明人： 蕭偉民 , HSIAO, WEI MIN
- 申请人： 日月光半導體製造股份有限公司 , ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.
- 申请人地址： 高雄市
- 专利权人： 日月光半導體製造股份有限公司,ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.
- 当前专利权人： 日月光半導體製造股份有限公司,ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.
- 当前专利权人地址： 高雄市
- 代理人： 蔡東賢; 林志育
- 优先权： 13/369,204 20120208
- 主分类号： H01L21/304
- IPC分类号： H01L21/304 ; H01L23/051
公开/授权文献:
- TW201334052A 半導體晶圓之載體接合及分離之製程 公开/授权日：2013-08-16
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/304 | ......机械处理，例如研磨、抛光、切割 |