基本信息:
- 专利标题： 半導體結構與電阻可變記憶結構的形成方法
- 专利标题（英）：Semiconductor structure and method of forming resistance variable memory structure
- 专利标题（中）：半导体结构与电阻可变记忆结构的形成方法
- 申请号：TW102139018 申请日：2013-10-29
- 公开(公告)号：TWI508339B 公开(公告)日：2015-11-11
- 发明人： 涂國基 , TU, KUO CHI , 朱文定 , CHU, WEN TING , 楊晉杰 , YANG, CHIN CHIEH , 廖鈺文 , LIAO, YU WEN , 陳俠威 , CHEN, HSIA WEI , 張至揚 , CHANG, CHIH YANG
- 申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 申请人地址： 新竹市
- 专利权人： 台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 当前专利权人： 台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 当前专利权人地址： 新竹市
- 代理人： 洪澄文; 顏錦順
- 优先权： 13/673,658 20121109
- 主分类号： H01L45/00
- IPC分类号： H01L45/00
公开/授权文献:
- TW201419601A 半導體結構與電阻可變記憶結構的形成方法 公开/授权日：2014-05-16