基本信息:
- 专利标题： 結合金屬鍺矽材料之基板
- 专利标题（英）：Substrate bonding with metal germanium silicon material
- 专利标题（中）：结合金属锗硅材料之基板
- 申请号：TW098145607 申请日：2009-12-29
- 公开(公告)号：TWI503899B 公开(公告)日：2015-10-11
- 发明人： 蒙提茲 魯邦B , MONTEZ, RUBEN B. , 帕瑪特 艾立克思P , PAMATAT, ALEX P.
- 申请人： 飛思卡爾半導體公司 , FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC.
- 专利权人： 飛思卡爾半導體公司,FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC.
- 当前专利权人： 飛思卡爾半導體公司,FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC.
- 代理人： 陳長文
- 优先权： 12/356,939 20090121
- 主分类号： H01L21/52
- IPC分类号： H01L21/52 ; H01B1/14
公开/授权文献:
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/50 | ...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的 |
| --------------H01L21/52 | ....半导体在容器中的安装 |