基本信息:
- 专利标题： 半導體功率元件及用於製備半導體功率元件之方法
- 专利标题（英）：Mosfet element and method for manufacturing mosfet element
- 专利标题（中）：半导体功率组件及用于制备半导体功率组件之方法
- 申请号：TW102120048 申请日：2013-06-06
- 公开(公告)号：TWI496293B 公开(公告)日：2015-08-11
- 发明人： 王曉彬 , WANG, XIAOBIN , 叭剌 安荷 , BHALLA, ANUP , 伍 時謙 , NG, DANIEL
- 申请人： 萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
- 专利权人： 萬國半導體股份有限公司,ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
- 当前专利权人： 萬國半導體股份有限公司,ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
- 代理人： 李國光; 張仲謙
- 优先权： 13/490,138 20120606
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L21/28
公开/授权文献:
- TW201401518A 半導體功率元件及用於製備半導體功率元件之方法 公开/授权日：2014-01-01
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |