基本信息:
- 专利标题： 半導體元件及其製造方法
- 专利标题（英）：Semiconductor device and method for fabricating the same
- 专利标题（中）：半导体组件及其制造方法
- 申请号：TW102116521 申请日：2013-05-09
- 公开(公告)号：TWI490924B 公开(公告)日：2015-07-01
- 发明人： 楊勝威 , YANG, SHENG WEI , 莊英政 , CHUANG, YING CHENG , 塞斯 席揚姆 , SURTHI, SHYAM
- 申请人： 南亞科技股份有限公司 , NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
- 申请人地址： 桃園市
- 专利权人： 南亞科技股份有限公司,NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
- 当前专利权人： 南亞科技股份有限公司,NANYA TECHNOLOGY CORPORATION
- 当前专利权人地址： 桃園市
- 代理人： 詹銘文; 葉璟宗
- 优先权： 13/792,231 20130311
- 主分类号： H01L21/22
- IPC分类号： H01L21/22
公开/授权文献:
- TW201435985A 半導體元件及其製造方法 公开/授权日：2014-09-16
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/22 | ....杂质材料的扩散，例如在半导体或半导体的交界区掺入或析出掺杂材料，电极材料；杂质材料的再分配，例如，不引入或去除过多的掺杂剂 |