专利号TW099107069 | 半導體晶片積層體之製造方法及半導體裝置

专利标题：半導體晶片積層體之製造方法及半導體裝置
专利标题（中）：半导体芯片积层体之制造方法及半导体设备
申请号：TW099107069 申请日：2010-03-10
公开(公告)号：TWI489565B 公开(公告)日：2015-06-21
发明人：早川明伸 , HAYAKAWA, AKINOBU , 石澤英亮 , ISHIZAWA, HIDEAKI , 竹田幸平 , TAKEDA, KOHEI , 增井良平 , MASUI, RYOHEI
申请人：積水化學工業股份有限公司 , SEKISUI CHEMICAL CO., LTD.
专利权人：積水化學工業股份有限公司,SEKISUI CHEMICAL CO., LTD.
当前专利权人：積水化學工業股份有限公司,SEKISUI CHEMICAL CO., LTD.
代理人：桂齊恆; 閻啟泰
优先权： JP2009-056400 20090310
主分类号： H01L21/58
IPC分类号： H01L21/58 ; C09J7/02

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H	电学
--H01	基本电气元件
----H01L	半导体器件；其他类目未包含的电固体器件
------H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
--------H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
----------H01L21/027	..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
------------H01L21/50	...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
--------------H01L21/58	....半导体器件在支架上的安装

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