专利号TW096122162 | 利用原位氮電漿處理及非原位紫外光固化來增加氮化矽拉伸應力之方法

专利标题：利用原位氮電漿處理及非原位紫外光固化來增加氮化矽拉伸應力之方法
专利标题（英）：Method to increase silicon nitride tensile stress using nitrogen plasma in-situ treatment and ex-situ uv cure
专利标题（中）：利用原位氮等离子处理及非原位紫外光固化来增加氮化硅拉伸应力之方法
申请号：TW096122162 申请日：2007-06-20
公开(公告)号：TWI466191B 公开(公告)日：2014-12-21
发明人：巴西努米海拉 , BALSEANU, MIHAELA , 蓋葉維多 , NGUYEN, VICTOR , 夏立群 , XIA, LI-QUN , 惠蒂德瑞克R , WITTY, DEREK R. , 姆薩德希肯 , M' SAAD, HICHEM , 石美儀 , SHEK, MEI-YEE , 羅弗洛克依莎貝莉塔 , ROFLOX, ISABELITA
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
专利权人：應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
当前专利权人：應用材料股份有限公司,APPLIED MATERIALS, INC.
代理人：蔡坤財; 李世章
优先权： 60/805,324 20060620;11/762,590 20070613
主分类号： H01L21/318
IPC分类号： H01L21/318

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H	电学
--H01	基本电气元件
----H01L	半导体器件；其他类目未包含的电固体器件
------H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
--------H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
----------H01L21/027	..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
------------H01L21/18	...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
--------------H01L21/26	....用波或粒子辐射轰击的
----------------H01L21/302	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
------------------H01L21/314	......无机层
--------------------H01L21/318	.......由氮化物组成的无机层

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