基本信息:
- 专利标题： 隔離區的形成方法及其結構
- 专利标题（英）：Method of forming isolation area and structure thereof
- 专利标题（中）：隔离区的形成方法及其结构
- 申请号：TW101100050 申请日：2012-01-02
- 公开(公告)号：TWI455246B 公开(公告)日：2014-10-01
- 发明人： 李宗翰 , LEE, TZUNG HAN , 黃仲麟 , HUANG, CHUNG LIN , 朱榮福 , CHU, RON FU
- 申请人： 華亞科技股份有限公司 , INOTERA MEMORIES, INC.
- 申请人地址： 桃園縣
- 专利权人： 華亞科技股份有限公司,INOTERA MEMORIES, INC.
- 当前专利权人： 華亞科技股份有限公司,INOTERA MEMORIES, INC.
- 当前专利权人地址： 桃園縣
- 代理人： 莊志強
- 主分类号： H01L21/762
- IPC分类号： H01L21/762 ; H01L21/761
公开/授权文献:
- TW201330173A 隔離區的形成方法及其結構 公开/授权日：2013-07-16
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/76 | ...组件间隔离区的制作 |
| --------------H01L21/762 | ....介电区 |