专利号TW100118133 | 真空處理裝置及電漿處理方法

专利标题：真空處理裝置及電漿處理方法
专利标题（中）：真空处理设备及等离子处理方法
申请号：TW100118133 申请日：2011-05-24
公开(公告)号：TWI442458B 公开(公告)日：2014-06-21
发明人：中尾禎子 , NAKAO, SACHIKO , 笹川英四郎 , SASAKAWA, EISHIRO , 竹內良昭 , TAKEUCHI, YOSHIAKI , 宮園直之 , MIYAZONO, NAOYUKI , 大坪榮一郎 , OHTSUBO, EIICHIRO
申请人：三菱重工業股份有限公司 , MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES, LTD.
专利权人：三菱重工業股份有限公司,MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES, LTD.
当前专利权人：三菱重工業股份有限公司,MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES, LTD.
代理人：林志剛
优先权： 2010-178108 20100806;2010-178194 20100806
主分类号： H01L21/205
IPC分类号： H01L21/205 ; C23C16/44 ; C23C16/509 ; H05H1/46 ; H01L31/18

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H	电学
--H01	基本电气元件
----H01L	半导体器件；其他类目未包含的电固体器件
------H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
--------H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
----------H01L21/027	..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
------------H01L21/18	...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
--------------H01L21/20	....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
----------------H01L21/205	.....应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积

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