基本信息:

• 专利标题： 光阻底層組成物及利用其製造半導體積體電路元件之方法
• 专利标题（英）：Resist underlayer composition and method of manufacturing semiconductor integrated circuit devices using the same
• 专利标题（中）：光阻底层组成物及利用其制造半导体集成电路组件之方法
• 申请号：TW099143949 申请日：2010-12-15
• 公开(公告)号：TWI433872B 公开(公告)日：2014-04-11
• 发明人： 尹熙燦 , YUN, HUI-CHAN , 金相均 , KIM, SANG-KYUN , 趙顯模 , CHO, HYEON-MO , 金美英 , KIM, MI-YOUNG , 高尚蘭 , KOH, SANG-RAN , 丁龍辰 , CHUNG, YONG-JIN , 金鍾涉 , KIM, JONG-SEOB
• 申请人： 第一毛織股份有限公司 ,  CHEIL INDUSTRIES INC.
• 专利权人： 第一毛織股份有限公司,CHEIL INDUSTRIES INC.
• 当前专利权人： 第一毛織股份有限公司,CHEIL INDUSTRIES INC.
• 代理人： 惲軼群; 陳文郎
• 优先权： 10-2009-0134325 20091230
• 主分类号： C08G77/18
• IPC分类号： C08G77/18 ; G03F7/11 ; H01L21/027

公开/授权文献:

• TW201129612A  光阻底層組成物及利用其製造半導體積體電路元件之方法 RESIST UNDERLAYER COMPOSITION AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICES USING THE SAME 公开/授权日：2011-09-01

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