发明专利
TWI371656B 含有具伸乙二羰基結構之聚合物的微影蝕刻用抗反射膜形成組成物 ANTIREFLECTIVE COATING FORMING COMPOSITION FOR LITHOGRAPHY CONTAINING POLYMER HAVING ETHYLENEDICARBONYL STRUCTURE
有权
基本信息:
- 专利标题： 含有具伸乙二羰基結構之聚合物的微影蝕刻用抗反射膜形成組成物 ANTIREFLECTIVE COATING FORMING COMPOSITION FOR LITHOGRAPHY CONTAINING POLYMER HAVING ETHYLENEDICARBONYL STRUCTURE
- 专利标题（英）：Antireflective coating forming composition for lithography containing polymer having ethylenedicarbonyl structure
- 专利标题（中）：含有具伸乙二羰基结构之聚合物的微影蚀刻用抗反射膜形成组成物 ANTIREFLECTIVE COATING FORMING COMPOSITION FOR LITHOGRAPHY CONTAINING POLYMER HAVING ETHYLENEDICARBONYL STRUCTURE
- 申请号：TW095113976 申请日：2006-04-19
- 公开(公告)号：TWI371656B 公开(公告)日：2012-09-01
- 发明人： 坂本力丸
- 申请人： 日產化學工業股份有限公司
- 申请人地址： NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. 日本 JP
- 专利权人： 日產化學工業股份有限公司
- 当前专利权人： 日產化學工業股份有限公司
- 当前专利权人地址： NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. 日本 JP
- 代理人： 林志剛
- 优先权： 日本 2005-120697 20050419
- 主分类号： G03F
- IPC分类号： G03F
摘要：
【課題】本發明係提供於製造半導體裝置之微影蝕刻步驟中所使用，顯示優良之抗反射效果，且不會引起與光阻的居間混合，具有比光阻更大之蝕刻速度的抗反射膜、及形成該抗反射膜之組成物。
【解決手段】含有具伸乙二羰基結構之聚合物及溶劑之微影蝕刻用抗反射膜形成組成物，由該組成物所形成之抗反射膜，及使用該組成物之光阻圖型的形成方法。
摘要（中）：
【解決手段】含有具伸乙二羰基結構之聚合物及溶劑之微影蝕刻用抗反射膜形成組成物，由該組成物所形成之抗反射膜，及使用該組成物之光阻圖型的形成方法。
【课题】本发明系提供于制造半导体设备之微影蚀刻步骤中所使用，显示优良之抗反射效果，且不会引起与光阻的居间混合，具有比光阻更大之蚀刻速度的抗反射膜、及形成该抗反射膜之组成物。
【解决手段】含有具伸乙二羰基结构之聚合物及溶剂之微影蚀刻用抗反射膜形成组成物，由该组成物所形成之抗反射膜，及使用该组成物之光阻图型的形成方法。