发明专利
TWI368989B 具有低汲極-源極啟開電阻及低電流限制之電源切換結構及方法 POWER SWITCH STRUCTURE WITH LOW RDSON AND LOW CURRENT LIMIT AND METHOD
有权
基本信息:
- 专利标题： 具有低汲極-源極啟開電阻及低電流限制之電源切換結構及方法 POWER SWITCH STRUCTURE WITH LOW RDSON AND LOW CURRENT LIMIT AND METHOD
- 专利标题（英）：Power switch structure with low rdson and low current limit and method
- 专利标题（中）：具有低汲极-源极启开电阻及低电流限制之电源切换结构及方法 POWER SWITCH STRUCTURE WITH LOW RDSON AND LOW CURRENT LIMIT AND METHOD
- 申请号：TW093130164 申请日：2004-10-05
- 公开(公告)号：TWI368989B 公开(公告)日：2012-07-21
- 发明人： 史帝芬P 羅布 , 大衛K 畢里吉斯
- 申请人： 半導體組件工業公司
- 申请人地址： SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES L.L.C. 美國 US
- 专利权人： 半導體組件工業公司
- 当前专利权人： 半導體組件工業公司
- 当前专利权人地址： SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES L.L.C. 美國 US
- 代理人： 陳長文
- 优先权： 美國 10/678,769 20031006
- 主分类号： H01L
- IPC分类号： H01L
摘要：
本發明揭示一種具有低汲極-源極啟開電阻及低電流限制之電源切換結構及方法。在一具體實施例中，一電源切換裝置(33)包括一第一MOSFET裝置(41)與一第二MOSFET裝置(42)。一包括一第一閘極電極(48、87)之分離閘極結構(84)控制該第一MOSFET裝置(41)。一第二閘極電極(49、92)控制該第二MOSFET裝置(42)。一電流限制裝置(38)係耦合至該第一閘極電極(48、97)，以在一電流限制模式期間開啟該第一MOSFET裝置。一比較器裝置(36)係耦合至第二閘極電極(49、92)，以在該電源切換裝置(33)不再處於電流限制模式時開啟該第二MOSFET裝置(42)。
摘要（中）：
本发明揭示一种具有低汲极-源极启开电阻及低电流限制之电源切换结构及方法。在一具体实施例中，一电源切换设备(33)包括一第一MOSFET设备(41)与一第二MOSFET设备(42)。一包括一第一闸极电极(48、87)之分离闸极结构(84)控制该第一MOSFET设备(41)。一第二闸极电极(49、92)控制该第二MOSFET设备(42)。一电流限制设备(38)系耦合至该第一闸极电极(48、97)，以在一电流限制模式期间打开该第一MOSFET设备。一比较器设备(36)系耦合至第二闸极电极(49、92)，以在该电源切换设备(33)不再处于电流限制模式时打开该第二MOSFET设备(42)。