发明专利
TWI368911B 提供記憶體裝置可變留置時間之方法及使用該方法之記憶體裝置 METHOD OF PROVIDING VARIABLE RETENTION TIME TO A MEMORY DEVICE AND A MEMORY DEVICE THAT USES THE METHOD
有权
基本信息:
- 专利标题： 提供記憶體裝置可變留置時間之方法及使用該方法之記憶體裝置 METHOD OF PROVIDING VARIABLE RETENTION TIME TO A MEMORY DEVICE AND A MEMORY DEVICE THAT USES THE METHOD
- 专利标题（英）：Method of providing variable retention time to a memory device and a memory device that uses the method
- 专利标题（中）：提供内存设备可变留置时间之方法及使用该方法之内存设备 METHOD OF PROVIDING VARIABLE RETENTION TIME TO A MEMORY DEVICE AND A MEMORY DEVICE THAT USES THE METHOD
- 申请号：TW094127448 申请日：2005-08-12
- 公开(公告)号：TWI368911B 公开(公告)日：2012-07-21
- 发明人： 孟德爾 亞倫 , 凡布斯基爾 麥克A , 史比哲 史都華 , 克吉爾 朱里H
- 申请人： 史班遜有限公司
- 申请人地址： SPANSION LLC 美國 US
- 专利权人： 史班遜有限公司
- 当前专利权人： 史班遜有限公司
- 当前专利权人地址： SPANSION LLC 美國 US
- 代理人： 洪武雄; 陳昭誠
- 优先权： 美國 10/919,572 20040817
- 主分类号： G11C
- IPC分类号： G11C
摘要：
提供一種用來使聚合物記憶體單元(102、200)呈現可變留置時間以儲存其資料之系統與方法。該留置時間之設定可依程式化模式與/或使用在聚合物記憶體單元(102、200)之材料類型而定。短暫留置時間可經由低電流或低電場程式化該聚合物記憶體單元(102、200)而獲得。類似地，長期留置時間可藉由使用高電流或電場以程式化(programming)該聚合物記憶體單元(102、200)。
摘要（中）：
提供一种用来使聚合物内存单元(102、200)呈现可变留置时间以存储其数据之系统与方法。该留置时间之设置可依进程化模式与/或使用在聚合物内存单元(102、200)之材料类型而定。短暂留置时间可经由低电流或低电场进程化该聚合物内存单元(102、200)而获得。类似地，长期留置时间可借由使用高电流或电场以进程化(programming)该聚合物内存单元(102、200)。