发明专利
TWI337374B 半導體結構、半導體晶圓及其製造方法 SEMICONDUCTOR STRUCTURE、SEMICONDUCTOR WAFER AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
有权
基本信息:
- 专利标题： 半導體結構、半導體晶圓及其製造方法 SEMICONDUCTOR STRUCTURE、SEMICONDUCTOR WAFER AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
- 专利标题（英）：Semiconductor structure, semiconductor wafer and method for fabricating the same
- 专利标题（中）：半导体结构、半导体晶圆及其制造方法 SEMICONDUCTOR STRUCTURE、SEMICONDUCTOR WAFER AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
- 申请号：TW095144659 申请日：2006-12-01
- 公开(公告)号：TWI337374B 公开(公告)日：2011-02-11
- 发明人： 鄭心圃 , 趙智傑 , 盧思維
- 申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司
- 申请人地址： TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科學工業園區力行六路8號 TW
- 专利权人： 台灣積體電路製造股份有限公司
- 当前专利权人： 台灣積體電路製造股份有限公司
- 当前专利权人地址： TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科學工業園區力行六路8號 TW
- 代理人： 洪澄文; 顏錦順
- 优先权： 美國 11/435,436 20060516
- 主分类号： H01L
- IPC分类号： H01L
摘要：
本發明揭露一種具有應力調整層之積體電路及其製造方法，可以避免晶圓翹曲及破壞。該具有應力調整層之積體電路之製造方法包括：提供一具有一第一表面及一第二表面之半導體基板，其中該半導體基板之厚度大體係小於150μm；形成複數膜層於該基板之第一表面，該複數膜層係施加一應力於該半導體基板之上；以及，形成一應力調整層於該第一表面及第二表面其中之一者之上，並補償或平衡該複數膜層施於半導體晶圓上之該應力。
摘要（中）：
本发明揭露一种具有应力调整层之集成电路及其制造方法，可以避免晶圆翘曲及破坏。该具有应力调整层之集成电路之制造方法包括：提供一具有一第一表面及一第二表面之半导体基板，其中该半导体基板之厚度大体系小于150μm；形成复数膜层于该基板之第一表面，该复数膜层系施加一应力于该半导体基板之上；以及，形成一应力调整层于该第一表面及第二表面其中之一者之上，并补偿或平衡该复数膜层施于半导体晶圆上之该应力。
摘要（英）：
Warpage and breakage of integrated circuit substrates is reduced by compensating for the stress imposed on the substrate by thin films formed on a surface of the substrate. Particularly advantageous for substrates having a thickness substantially less than about 150 μm, a stress-tuning layer is formed on a surface of the substrate to substantially offset or balance stress in the substrate which would otherwise cause the substrate to bend. The substrate includes a plurality of bonding pads on a first surface for electrical connection to other component.