基本信息:
- 专利标题： 濺鍍靶之製造方法 METHOD FOR MAKING SPUTTERING TARGET
- 专利标题（英）：Method for making sputtering target
- 专利标题（中）：溅镀靶之制造方法 METHOD FOR MAKING SPUTTERING TARGET
- 申请号：TW095121840 申请日：2006-06-19
- 公开(公告)号：TWI306124B 公开(公告)日：2009-02-11
- 发明人： 高橋誠一郎 TAKAHASHI, SEIICHIRO , 渡邊弘 WATANABE, HIROSHI
- 申请人： 三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
- 申请人地址： 日本
- 专利权人： 三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
- 当前专利权人： 三井金屬業股份有限公司 MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
- 当前专利权人地址： 日本
- 代理人： 洪武雄; 陳昭誠
- 优先权： 日本 2005-190805 20050629
- 主分类号： C23C
- IPC分类号： C23C ; C04B ; C22B
摘要：
本發明係提供可以延長鍍靶壽命,又,可以得到高密度之濺鍍靶的濺鍍靶製造方法。
本發明係將由含有氧化銦粉末及氧化錫粉末之混合粉末所成之原料粉末,經鍛燒(burning)以製造濺鍍靶之際,至少先將氧化銦在1100℃至1300℃中預鍛燒而作成原料之混合粉末,並將此混合粉末在比先前預鍛燒之溫度高出150℃以上之高溫中鍛燒。
摘要（中）：
本發明係將由含有氧化銦粉末及氧化錫粉末之混合粉末所成之原料粉末,經鍛燒(burning)以製造濺鍍靶之際,至少先將氧化銦在1100℃至1300℃中預鍛燒而作成原料之混合粉末,並將此混合粉末在比先前預鍛燒之溫度高出150℃以上之高溫中鍛燒。
本发明系提供可以延长镀靶寿命,又,可以得到高密度之溅镀靶的溅镀靶制造方法。
本发明系将由含有氧化铟粉末及氧化锡粉末之混合粉末所成之原料粉末,经锻烧(burning)以制造溅镀靶之际,至少先将氧化铟在1100℃至1300℃中预锻烧而作成原料之混合粉末,并将此混合粉末在比先前预锻烧之温度高出150℃以上之高温中锻烧。
公开/授权文献:
- TW200710245A 濺鍍靶之製造方法 METHOD FOR MAKING SPUTTERING TARGET 公开/授权日：2007-03-16