基本信息:
- 专利标题： 利用應變矽形成半導體裝置之方法以及半導體裝置 THERMAL ANNEAL PROCESS FOR STRAINED-SI DEVICES
- 专利标题（英）：Thermal anneal process for strained-SI devices
- 专利标题（中）：利用应变硅形成半导体设备之方法以及半导体设备 THERMAL ANNEAL PROCESS FOR STRAINED-SI DEVICES
- 申请号：TW094115377 申请日：2005-05-12
- 公开(公告)号：TWI281213B 公开(公告)日：2007-05-11
- 发明人： 葛崇祜 KE, CHUNG HU , 李文欽 LEE, WEN CHIN , 胡正明 CHENMING HU
- 申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 申请人地址： 新竹市新竹科學工業園區力行六路8號
- 专利权人： 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 当前专利权人： 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 当前专利权人地址： 新竹市新竹科學工業園區力行六路8號
- 代理人： 洪澄文; 顏錦順
- 优先权： 美國 10/845,374 20040513
- 主分类号： H01L
- IPC分类号： H01L
摘要：
本發明揭示一種利用應變矽形成半導體裝置之方法，包括：形成具有第一晶格常數之第一基板材料於裝置基板上，再形成具有第二晶格常數之第二基板材料於第一基板材料上。利用第一、第二基板材料定義場效電晶體之通道、源極以及汲極區，接著植入一或多種雜質材料於源極以及汲極區。最後，利用鎢鹵素燈之外的其他快速加熱源回火該電晶體。
摘要（中）：
本发明揭示一种利用应变硅形成半导体设备之方法，包括：形成具有第一晶格常数之第一基板材料于设备基板上，再形成具有第二晶格常数之第二基板材料于第一基板材料上。利用第一、第二基板材料定义场效应管之信道、源极以及汲极区，接着植入一或多种杂质材料于源极以及汲极区。最后，利用钨卤素灯之外的其他快速加热源回火该晶体管。
摘要（英）：
A method is disclosed for forming a semiconductor device using strained silicon. After forming a first substrate material with a first natural lattice constant on a device substrate and a second substrate material with a second natural lattice constant on the first substrate material, a channel, source and drain regions of a field effective transistor are further defined using the first and second substrate materials. After implanting one or more impurity materials to the source and drain regions, and the transistor goes through an annealing process using a high speed heat source other than a Tungsten-Halogen lamp.