基本信息:
- 专利标题： 半導體裝置及其製造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME
- 专利标题（英）：Semiconductor device and method of manufacturing same
- 专利标题（中）：半导体设备及其制造方法 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME
- 申请号：TW091114279 申请日：2002-06-28
- 公开(公告)号：TWI233215B 公开(公告)日：2005-05-21
- 发明人： 奧良彰 YOSHIAKI OKU , 西山憲和 NORIKAZU NISHIYAMA , 上山惟一 KOREKAZU UEYAMA
- 申请人： 羅姆股份有限公司 ROHM CO., LTD.
- 申请人地址： 日本
- 专利权人： 羅姆股份有限公司 ROHM CO., LTD.
- 当前专利权人： 羅姆股份有限公司 ROHM CO., LTD.
- 当前专利权人地址： 日本
- 代理人： 洪武雄; 陳昭誠
- 优先权： 日本 2001-198943 20010629 日本 2001-198944 20010629 日本 2001-198964 20010629 日本 2001-198965 20010629 日本 2001-198990 20010629
- 主分类号： C23C
- IPC分类号： C23C ; H01L
摘要：
本發明提供一種半導體裝置及其製造方法，其特徵在於：實現低介電率化，並包括有形成於基板表面上，且具備空孔率50%以上之週期性多孔結構的無機絕緣膜。
摘要（中）：
本发明提供一种半导体设备及其制造方法，其特征在于：实现低介电率化，并包括有形成于基板表面上，且具备空孔率50%以上之周期性多孔结构的无机绝缘膜。
摘要（英）：
The semiconductor of the present invention comprises an inorganic insulation membrane which is formed on a surface of a substrate and has a periodic porous structure with a void content of 50% and up for a purpose of reducing dielectric constant.