发明专利
TWI221672B 設有串聯連接之防熔元件的半導體記憶裝置 SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH SERIES-CONNECTED ANTIFUSE-COMPONENTS
失效
基本信息:
- 专利标题： 設有串聯連接之防熔元件的半導體記憶裝置 SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH SERIES-CONNECTED ANTIFUSE-COMPONENTS
- 专利标题（英）：Semiconductor memory device with series-connected antifuse-components
- 专利标题（中）：设有串联连接之防熔组件的半导体记忆设备 SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH SERIES-CONNECTED ANTIFUSE-COMPONENTS
- 申请号：TW092108762 申请日：2003-04-15
- 公开(公告)号：TWI221672B 公开(公告)日：2004-10-01
- 发明人： 佐甲隆 SAKOH, TAKASHI
- 申请人： NEC電子股份有限公司 NEC ELECTRONICS CORPORATION
- 申请人地址： 日本
- 专利权人： NEC電子股份有限公司 NEC ELECTRONICS CORPORATION
- 当前专利权人： NEC電子股份有限公司 NEC ELECTRONICS CORPORATION
- 当前专利权人地址： 日本
- 代理人： 周良謀; 周良吉
- 优先权： 日本 2002-116313 20020418
- 主分类号： H01L
- IPC分类号： H01L
摘要：
一種半導體記憶裝置，包含位在行列中的記憶單元。各個記憶體是屬於電容類型的，且包含一介電層的一部分。防熔元件係以一個串聯著另一個的方式而連接在一電源電極與當一MOS晶體管處於導電狀態時、呈接地態的一輸出端子間。
摘要（中）：
一种半导体记忆设备，包含位在行列中的记忆单元。各个内存是属于电容类型的，且包含一介电层的一部分。防熔组件系以一个串联着另一个的方式而连接在一电源电极与当一MOS晶体管处于导电状态时、呈接地态的一输出端子间。
摘要（英）：
A semiconductor memory device comprises memory cells in rows and columns. Each memory is of the capacitor type and includes one portion of a dielectric layer. Antifuse-components are connected in series one after another between a power source electrode and an output terminal that is grounded when a MOS transistor is conductive.