基本信息:
- 专利标题： 具有低熔點金屬隆起之半導體裝置及其製造方法
- 专利标题（英）：Semiconductor device provided with low melting point metal bumps and process for producing same
- 专利标题（中）：具有低熔点金属隆起之半导体设备及其制造方法
- 申请号：TW086112308 申请日：1997-08-27
- 公开(公告)号：TW344092B 公开(公告)日：1998-11-01
- 发明人： 下川健二 , 巽宏平 , 橋野英兒
- 申请人： 新日本製鐵股份有限公司
- 申请人地址： 日本
- 专利权人： 新日本製鐵股份有限公司
- 当前专利权人： 新日本製鐵股份有限公司
- 当前专利权人地址： 日本
- 代理人： 康偉言; 惲軼群
- 主分类号： H01L
- IPC分类号： H01L
摘要：
一種半導體裝置，包含電極形成於半導體晶片上並隆起，此隆起視為一低熔點金屬球以球面形地形成並有一指定之大小，並係黏著的結合至電極。此電極係自銅或銅合金，鋁或鋁合金，金或金合金之電極材料製成。當此電極材料係包含鋁或鋁合金時，此電極在鋁或鋁合金之電極材料層含至少一層有一熔點高於電極材料之金屬或金屬合金（較適當者為選自鈦，鎢，鎳，鉻，金，鈀，銅，鉑，銀，錫，或鉛，或這些物質之合金）。此低熔點金屬球係適當地以熔劑黏著式地結合至電極。此低熔點金屬球黏著式地結合至各自之電極者亦可以在使用之前變軟回流以形成球面之隆起。
摘要（中）：
一种半导体设备，包含电极形成于半导体芯片上并隆起，此隆起视为一低熔点金属球以球面形地形成并有一指定之大小，并系黏着的结合至电极。此电极系自铜或铜合金，铝或铝合金，金或金合金之电极材料制成。当此电极材料系包含铝或铝合金时，此电极在铝或铝合金之电极材料层含至少一层有一熔点高于电极材料之金属或金属合金（较适当者为选自钛，钨，镍，铬，金，钯，铜，铂，银，锡，或铅，或这些物质之合金）。此低熔点金属球系适当地以熔剂黏着式地结合至电极。此低熔点金属球黏着式地结合至各自之电极者亦可以在使用之前变软回流以形成球面之隆起。
摘要（英）：
A semiconductor device comprising electrodes formed on a semiconductor chip and bumps which consist of a low melting point metal ball spherically formed and having a give size and which are adhesively bonded to the electrodes.