基本信息:
- 专利标题： 用以形成致密介電體之組成物,以及彼之製法
- 专利标题（中）：用以形成致密介电体之组成物,以及彼之制法
- 申请号：TW081102429 申请日：1992-03-31
- 公开(公告)号：TW203141B 公开(公告)日：1993-04-01
- 发明人： 伊恩.伯恩 , 沙莫特.安東尼.布魯諾
- 申请人： 杜邦公司
- 申请人地址： 美國
- 专利权人： 杜邦公司
- 当前专利权人： 杜邦公司
- 当前专利权人地址： 美國
- 代理人： 林敏生
- 主分类号： H01G
- IPC分类号： H01G
摘要：
一種基本上由６０．０－７０．０莫耳％的ＴｉＯ2、１４．３－２０．０莫耳％的Ｎｄ2Ｏ3、１１．０－１６．７莫耳％的ＢａＯ、１．０－８．０莫耳％的ＺｒＯ2和０．０５－０．３０莫耳％的ＣｅＯ2所組成的組成物，以及此組成物之製法。此組成物可被用以形成介電常數在６５以上並符合ＣＯＧ標準的致密陶瓷介電體，並可由此介電體製得多層電容器。
摘要（中）：
一种基本上由６０．０－７０．０莫耳％的ＴｉＯ2、１４．３－２０．０莫耳％的Ｎｄ2Ｏ3、１１．０－１６．７莫耳％的ＢａＯ、１．０－８．０莫耳％的ＺｒＯ2和０．０５－０．３０莫耳％的ＣｅＯ2所组成的组成物，以及此组成物之制法。此组成物可被用以形成介电常数在６５以上并符合ＣＯＧ标准的致密陶瓷介电体，并可由此介电体制得多层电容器。